Класифікація та позначення напівпровідникових приладів Виконано: Теплик І. Сенюков Е. Презентація на тему: напівпровідникові прилади Презентація на тему застосування напівпровідникових приладів

Cлайд 1

Cлайд 2

Cлайд 3

Cлайд 4

Cлайд 5

Cлайд 6

Cлайд 7

Cлайд 8

Cлайд 9

Cлайд 10

Cлайд 11

Cлайд 12

Cлайд 13

Cлайд 14

Cлайд 15

Cлайд 16

Cлайд 17

Cлайд 18

Cлайд 19

Cлайд 20

Cлайд 21

Cлайд 22

Cлайд 23

Cлайд 24

Cлайд 25

Cлайд 26

Cлайд 30

Cлайд 31

Cлайд 32

Cлайд 33

Інтегральні датчики температури на БТ 2 Більшість напівпровідникових датчиків температури використовують співвідношення між напругою база-емітер і струмом колектора. Базова схема вимірювання температури Схеми осередків датчиків температури Осередок Брокау Осередок токового датчика температури

Інтегральні датчики температури на БТ 3 Датчики температури з струмовим виходом TO-92Корпус від -25 до 105T A, ° C 0,298I CC, мА від 4 до 30V CC, В Різні схеми включення струмових ДТ для визначення: а середнього значення температури в трьох точках простору, б точки з мінімальною температурою з трьох контрольованих, в різниці температур в двох точках

Інтегральні датчики температури на БТ 4 Датчики температури з виходом по напрузі Vcc, В2, Чутливість, мВ / С 10 Робочий діапазон температур, С AD AD Vcc, В Чутливість, мВ / С 10 Робочий діапазон температур, С Icc, мА0,12 LM45 LM135 / 235/335 Vcc, В2, Чутливість, мВ / К 10 Робочий діапазон температур, С LM LM LM Найпростіші схеми застосування для вимірювання: а - мінімальної з трьох температур, б - середнього значення температури для трьох точок, в - різниці температур Типові схеми включення: а - без калібрування, б - з калібруванням

Інтегральні датчики температури на БТ 5 Схеми простого термостата Логометріческій ДТ: а - структурна схема, б - схема перетворення температури в код, що не залежить від напруги живлення Логометріческіе ДТ Системи вимірювання називаються логометріческімі, якщо кінцевий результат перетворення не залежить від температури. Вихідний сигнал логометріческіх датчиків залежить від напруги живлення. Vcc, В2,7 ... 3,6 Чутливість, мВ / С 28 Робочий діапазон температур, С Icc, мА0,5 КорпусSOIC-8, TO92 Зручно сполучати датчик з 12-розрядних АЦП AD7896, який використовує напругу живлення в якості опорного

Датчики температури з цифровим виходом 6 Мікросхеми MAX6576 / MAX6577 це дешеві, слабкострумові температурні датчики з однопровідним виходом. Мікросхема MAX6576 перетворює навколишнє температуру в меандр з періодом пропорційним абсолютної температурі (° K). Мікросхема MAX6577 перетворює навколишнє температуру в меандр з частотою пропорційною абсолютної температурі. Мікросхема MAX6576 забезпечує точність ± 3 ° C при + 25 ° C, ± 4.5 ° C при + 85 ° C і ± 5 ° C при +125 ° C. Мікросхема MAX6577 забезпечує точність ± 3 ° C при + 25 ° C, ± 3.5 ° C при + 85 ° C і ± 4.5 ° C при +125 ° C. Найменування Інтерфейс Точність (± ° C) Діапазон напруги живлення (В) Робочий діапазон (° C) Корпус MAX6576 MAX6577 період - темп. частота - темп. 3 від 2.7 до 5.5 від -40 до / SOT2 3 Обидва пристрої відрізняються однопровідним виходом, який мінімізує число висновків, необхідних для взаємодії з мікропроцесором. Діапазон періоду / частоти вихідного меандру може бути обраний підключенням двох висновків вибору часу (TS0, TS1) до VDD (харчування) або GND (загальний). Мікросхеми MAX6576 / MAX6577 випускаються в компактних 6-контактних SOT23 корпусах.

Датчики температури з ШІМ 7 TMP03 / TMP04 - напівпровідникова ІС, тривалість прямокутного сигналу на виході якої прямо пропорційна її температурі. Вбудований перетворювач температури виробляє прямопропорційно температурі напруга, яке порівнюється з опорною напругою, і результат порівняння подається на цифровий модулятор. Масштабний формат кодування вихідного послідовного цифрового сигналудозволяє уникнути помилок, що виникають в інших пристроях зважаючи на нестабільність частоти синхросигналу. Прилади мають типову похибка вимірювання ± 1.5 ° C в діапазоні від -25 ° C до + 100 ° C і чудову лінійність характеристики перетворення. Цифровий вихід TMP04 є ТТЛ / КМОП сумісним, що дозволяє підключати його до більшості мікроконтролерів безпосередньо. Вихід з відкритим колектором приладу TMP03 має максимальний впадає струм 5 мА. TMP03 і TMP04 мають робочий діапазон напруги живлення від 4.5 до 7 В. Працюючи від 5 В джерела живлення при ненавантаженому виході прилади споживають менше 1.3 мА. TMP03 / TMP04 визначені для роботи в температурному діапазоні від -40 ° C до + 100 ° C і випускаються в ТО-92, SO-8 і TSSOP-8 корпусах. З зниженою точністю прилади здатні вимірювати температуру до 150 ° C. Формат вихідного сигналу ДТ

Датчики температури з послідовним цифровим інтерфейсом 8 Ця мікросхема крім температурного датчика на основі біполярного транзистора включає також сигма- дельта АЦП, інтерфейс якого сумісний з інтерфейсами SPI та MICROWIRE. Трінадцатіразрядний АЦП забезпечує дозвіл ° С в діапазоні температур від -55 до + 150 ° С. Датчик допускає переклад в режим мовчання зі зниженим енергоспоживанням (shutdown mode), при якому струм зменшується до 10 мкА. Датчик виготовляється в корпусі SO-8 і в мініатюрному 5-вивідному micro SMD-кopпyсe. Датчики температури AD7816 / 17/18 Датчики температури DS18B20

Температурні компаратори 9 Прилад має вихід з відкритим колектором, який переключається при досягненні температурою заданого користувачем значення. ADT05 має гістерезис, рівний приблизно 4 ° С, що забезпечує швидкий цикл включення / вимикання. ADT05 розроблений для роботи з однополярним напругою живлення від + 2,7 до +7,0 В, що полегшує їх застосування як в батарейних пристроях, так і в індустріальних контрольних системах. Номінал резистора, що задає температуру спрацьовування, визначається виразом: R SET = 39 МОМ ° С / (T SET (° C) + 281,6 ° C) - 90,3 до Ом. ТМР01 - двоканальний контролер, який також виробляє вихідну напругу, пропорційне абсолютній температурі (вихід 5). Крім цього він виробляє сигнали управління на одному або обох виходах, коли температура виявляється за межами заданого температурного діапазону. Верхня і нижня межі діапазону і гістерезис компараторов кожного з цих каналів задаються зовнішніми опорами.

Введення При використанні напівпровідникових приладів в електронних пристроях для уніфікації їх позначення і стандартизації параметрів використовуються системи умовних позначень. Ця система класифікує напівпровідникові прилади за їх призначенням, основними фізичними та електричними параметрами, конструктивно технологічними властивостями, виду напівпровідникових матеріалів. Система умовних позначень вітчизняних напівпровідникових приладів базується на державних і галузевих стандартах. Перший ГОСТ на систему позначень напівпровідникових приладів ГОСТ був введений в 1964 році. Потім по мірі виникнення нових класифікаційних груп приладів був змінений на ГОСТ, а потім на галузевий стандарт ОСТ і ОСТ відповідно в 1972, 1977, 1981 роках. При цій модифікації основні елементи цифробуквене коду системи умовних позначень збереглися. Ця система позначень логічно будувати і дозволяє нарощувати в міру подальшого розвитку елементної бази. Основні терміни, визначення та літерні позначення основних і довідкових параметрів напівпровідникових приладів наведені в наступних гостей: - Діоди напівпровідникові. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів; - Транзистори польові. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів; - Транзистори біполярні. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів; - Тиристори. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів.

Умовні позначення і класифікація вітчизняних напівпровідникових приладів Система позначень сучасних напівпровідникових діодів, тиристорів і оптоелектронних приладів встановлена ​​галузевим стандартом ОСТ і базується на ряді класифікаційних ознак цих приладів. В основу системи позначень покладений буквено цифровий код, який складається з 5 елементів ...

Перший елемент Перший елемент (буква або цифра) позначає вихідний напівпровідниковий матеріал, на базі якого створено напівпровідниковий прилад. Для приладів загальногромадянського застосування використовуються літери, які є початковими літерами в назві напівпровідника або напівпровідникового з'єднання. Для приладів спеціального застосування замість цих букв використовуються цифри. Вихідний матеріал Умовні позначення Німеччин або його сполуки Г або 1 Кремній або його сполуки До або 2 З'єднання галію (наприклад, арсенід галію) А чи 3 З'єднання індію (наприклад, фосфід індію) І чи 4

Другий елемент-клас напівпровідникових приладів. Зазвичай буква вибирається з назви приладу, як перша буква назви Підклас приладів Умовні позначення Підклас приладів Умовні позначення Випрямні, універсальні, імпульсні діоди Д Стабілітрони З Транзистори біполярні Т Випрямні стовпи Ц Транзистори польові П Діоди Ганна Б Варикапи У Стабілізатори струму До Тиристори діодні Н Надвисокочастотні діоди А Тиристори тріодних У Випромінюючі ОЕ прилади Л Тунельні діоди І Оптопари Про

Третій елемент. Третій елемент (цифра) в позначенні напівпровідникових приладів, визначає основні функціональні можливості приладу. У різних підкласів приладів найбільш характерні експлуатаційні параметри (функціональні можливості) різні. Для транзисторів - це робоча частота і розсіює потужність, для випрямних діодів - максимальне значення прямого струму, для стабілітронів - напруга стабілізації і розсіює потужність, для тиристорів - значення струму у відкритому стані.

П'ятий елемент. П'ятий елемент (буква) в буквено-цифровому коді системи умовних позначень вказує розбракування за окремими параметрами приладів, виготовлених в єдиній технології. Для позначення використовуються великі літери російського алфавіту від А до Я, крім З, О, Ч, И, Ш, Щ, Я, схожих за написанням з цифрами.

Умовні позначення і класифікація зарубіжних напівпровідникових приладів За кордоном існують різні системи позначень напівпровідникових приладів. Найбільш поширеною є система позначень JEDEC, прийнята об'єднаним технічною радою по електронним приладам США. За цією системою прилади позначаються індексом (кодом, маркуванням), в якому перша цифра відповідає числу p-n переходів: 1 - діод, 2 - транзистор, 3 - тетрод (тиристор). За цифрою знаходиться буква N і серійний номер, який реєструється асоціацією підприємств електронної промисловості (EIA). За номером можуть стояти одна або кілька букв, що вказують на розбивку приладів одного типу на тіпономіналов за різними параметрами або характеристиками. Однак цифри серійного номера не визначають тип вихідного матеріалу, частотний діапазон, потужність розсіювання або область застосування. В Європі використовується система, по якій позначення напівпровідникових приладів присвоюються організацією Association International Pro Electron. За цією системою прилади для побутової апаратури широкого застосування позначаються двома буквами і трьома цифрами. Так, у приладів широкого застосування після двох букв стоїть тризначний порядковий номер від 100 до 999. У приладів, застосовуваних у промисловій і спеціальній апаратурі, третій знак - буква (букви використовуються в зворотному алфавітному порядку: Z, Y, X і т.д. ), за якою слідує порядковий номер від 10 до 99.

Перший елемент. Перший елемент (буква) позначає вихідний напівпровідниковий матеріал, на базі якого створено напівпровідниковий прилад. Використовуються 4 латинські букви A, B, C і D, відповідно до виду напівпровідника або напівпровідникового з'єднання. Вихідний матеріал Ширина забороненої зони, еВ Умовні позначення Германій0,6 ... 1 А Кремній1 ... 1,3 В Арсенід галліяболее 1,3 З антимоніді індіяменее 1,6 D

Другий елемент (буква) позначає підклас напівпровідникових приладів. Третій елемент (цифра або буква) позначає в буквенно- цифровому коді напівпровідникові прилади, призначені для апаратури загальногромадянського застосування (цифра) або для апаратури спеціального застосування (буква). Як літери в останньому випадку використовуються великі латинські літери, що витрачаються в зворотному порядку Z, Y, X і т.п. Четвертий елемент (2 цифри) означає порядковий номер технологічної розробки і змінюється від 01 до 99. Наприклад, ВТХ це кремнієвий керований випрямляч (тиристор) спеціального призначення з реєстраційним номером 10 і напругою 200 В.

Стандарт JIS-C-7012 Система стандартних позначень, розроблена в Японії (стандарт JIS-C- 7012, прийнятий асоціацією EIAJ-Electronic Industries Association of Japan) дозволяє визначити клас напівпровідникового приладу (діод або транзистор), його призначення, тип провідності напівпровідника. Вид напівпровідникового матеріалу в японській системі не відбивається. Умовне позначення напівпровідникових приладів за стандартом JIS-C-7012 складається з п'яти елементів. Перший елемент. Перший елемент (цифра) позначає тип напівпровідникового приладу. Використовуються 3 цифри (0, 1, 2 і 3) відповідно до типу приладу. Другий елемент. Другий елемент позначається буквою S і вказує на те, що даний прилад є напівпровідниковим. Буква S використовується як початкова буква від слова Semiconductor. Третій елемент. Третій елемент (буква) позначає підклас напівпровідникових приладів. Нижче в таблиці наведені літери, використовувані для позначення підкласів Четвертий елемент. Четвертий елемент позначає реєстраційний номер технологічної розробки і починається з числа 11. П'ятий елемент. П'ятий елемент відображає модифікацію розробки (А і В - перша і друга модифікація).

JEDEC Система позначень JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), прийнята об'єднаним технічною радою по електронним приладам США. За цією системою прилади позначаються індексом (кодом, маркуванням), в якому: Перший елемент. Перший елемент (цифра) позначає число p-n переходів. Використовуються 4 цифри (1, 2, 3 і 4) відповідно до типу приладу: 1 - діод, 2 - транзистор, 3 - тиристор, 4 - оптопара. Другий елемент. Другий елемент складається з букви N і серійного номера, який реєструється асоціацією підприємств електронної промисловості (EIA). Цифри серійного номера не визначають тип вихідного матеріалу, частотний діапазон, потужність розсіювання і область застосування. Третій елемент. Третій елемент - одна або кілька букв, вказують на розбивку приладів одного типу на тіпономіналов за різними характеристиками. Фірма-виробник, прилади якої за своїми параметрами подібні приладів, зареєстрованим EIA, може представляти свої прилади з позначенням, прийнятим за системою JEDEC. Приклад: 2N2221A, 2N904.

Графічні позначення і стандарти У технічній документації і спеціальній літературі застосовуються умовні графічні позначення напівпровідникових приладів відповідно до ГОСТ «позначення умовні, графічні в схемах. Прилади напівпровідникові ».

Умовні позначення електричних параметрів і порівняльні довідкові дані напівпровідникових приладів Для напівпровідникових приладів визначені і стандартизовані значення основних електричних параметрів і граничні експлуатаційні характеристики, які наводяться в довідниках. До таких параметрів належать: напруга (наприклад, Uпр - постійна пряма напруга діода), струм (наприклад, Iст, max - максимально допустимий струм в стабілізації стабілітрона, потужність (наприклад, Pвих - вихідна потужність біполярного транзистора), опір (наприклад, rдіф - диференціальне опір діода), ємність (наприклад, Cк - ємність колекторного переходу), час і частота (наприклад, tвос, обр - час зворотного відновлення тиристора, діода), температура (наприклад, Tmax - максимальна температура навколишнього середовища). Число значень основних електричних параметрів обчислюється сотнями, причому для кожного підкласу напівпровідникових приладів ці параметри будуть різними. у довідкових виданнях наводяться значення основних електричних параметрів і граничні експлуатаційні характеристики напівпровідникових приладів. Нижче наведено приклади ці дані для типових представників різних типів приладів.

Приклади позначення деяких транзисторів: КТ604А - кремнієвий біполярний, середньої потужності, низькочастотний, номер розробки 04, група А 2Т920 - кремнієвий біполярний, великої потужності, високочастотний, номер розробки 37, група А 2ПС202А-2 - набір малопотужних кремнієвих польових транзисторів середньої частоти, номер розробки 02, група А, безкорпусний, з гнучкими висновками на крісталлодержателя. 2Д921А - кремнієвий імпульсний діод з ефективним часом життя неосновних носіїв заряду менше 1нс, номер розробки 21, група А 3І203Г - арсенідогалліевий тунельний генераторний діод, номер розробки 3, група Г АД103Б - арсенідогалліевий випромінюючий діод інфрачервоного діапазону, номер розробки 3, група Б.

Основні ГОСТи: ГОСТ Прилади напівпровідникові. Терміни та визначення ОСТ, Прилади напівпровідникові. Система умовних позначень. ГОСТ 2, Позначення умовні графічні в схемах. Прилади напівпровідникові ГОСТ прилади напівпровідникові. Основні розміри ГОСТ Транзистори біполярні. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів. ГОСТ Транзистори польові. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів. ГОСТ Прилади напівпровідникові інфрачервоні випромінюючі. Основні розміри. ГОСТ Діоди напівпровідникові. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів.

Щоб користуватися попереднім переглядом презентацій створіть собі аккаунт ( обліковий запис) Google і увійдіть в нього: https://accounts.google.com

Підписи до слайдів:

учитель фізики: Абрамова Тамара Іванівна МБОУ «Бутурлиновский ЗОШ» 2016р.

Що таке напівпровідник? Звідки взялися електрони і дірки? Що вийде при додаванні миш'яку в германій? Напівпровідники йдуть на контакт. Одностороння провідність - не тільки на дорогах. Діоди, транзистори, світлодіоди, фотоелементи - де з ними зустрічаємося? Сьогодні на уроці.

НАПІВПРОВІДНИКИ ρ металів <ρ полуприем. <Ρ Діель. ρ₁ - У З металів Ρ ₂ - УС напівпровідників Ρ ₃ - УС діелектриків

Будова напівпровідників До напівпровідників відносяться хімічні елементигерманій, кремній, селен, миш'як, індій, фосфор, ... і їх з'єднання. У земній корі цих сполук досягає 80%. При низьких температурах і в відсутності освітленості чисті п / п не проводять електричного струму, т. К. В них немає вільних зарядів. Кремній і германій мають на зовнішній електронній оболонці по 4 (валентних) електрона. У кристалі кожен з цих електронів належить двом сусіднім атомам, утворюючи, т. Н. ковалентний зв'язок. Ці електрони беруть участь в тепловому русі, але залишаються на своїх місцях в кристалі. З е Р а С е л е н Кремній

Власна провідність напівпровідників П р и н а г р е в а н і й П р и о с в о н е н і й N ел. = N дірок.

напівпровідник фольга корпус ізолятор висновок

Штучні супутники Землі, космічні кораблі, електронно - обчислювальна техніка, радіотехніка, автоматизовані системи рахунку, сортування, перевірки якості, ... Застосування Фотореле, аварійні Вимикачі.

домішкових провідність напівпровідників N електронів> N дірок Провідність - електронна (донорная). Напівпровідник - n- типу. N дірок> N електронів. Провідність -дирочная (акцепторная). Напівпровідник - p-типу.

Електронно - дірковий перехід R зап. шару велике! R З.С. зменшилася. R З.С. збільшилася. d = 10 ¯⁵ c м

Властивість контакту напівпровідників з різним типомпровідності n - p перехід Х а р а к т е р і з т і до а Основне властивість n - p переходу - Одностороння провідність В о л ь т а м п е р н а я Прямий перехід. зворотний перехід

Германій -катод Індій - анод Напівпровідниковий діод Головне властивість - одностороння провідність. Використовується для випрямлення слабких струмів в радіоприймачах, телевізорах, і сильних струмів в ЕД трамваїв, електровозів.

Принцип роботи напівпровідникового пристрою Основні носії зарядів неосновні носії зарядів Види діодів - площинні і точкові. Переваги: ​​Малі розміри і маса, високий к.к.д., міцні.

транзистори Застосовуються в якості підсилювачів в радіотехніці, в електротехніці.

напівпровідникові прилади

Фотоелементи і термоелементи

застосування фотоелементів

Світлодіоди напівпровідникові світлодіоди - прилади, що перетворюють електричну енергію в світлову. Випромінюють кванти світла під дією прикладеної напруги.

Напівпровідникові термоелементи Перетворять внутрішню енергію в електричну.

1.Як носіями електричного зарядустворюється струм в металах і в чистих напівпровідниках? А. І в металах, і в напівпровідниках тільки електронами. Б. В металах тільки електронами, в напівпровідниках тільки «дірками». В. В металах тільки електронами, в напівпровідниках електронами і «дірками». Г.В металах і напівпровідниках іонами. 2. Який тип провідності переважає в напівпровідниках з домішками? А. Електронна. Б. Діркова. В. В рівній мірі електронна і діркова. Г. Іонна. 3. Як залежить опір від температури в металах і в напівпровідниках? А.В металах збільшується, а в напівпровідниках зменшується з ростом температури. Б. В металах зменшується, а в напівпровідниках збільшується зі зростанням температури. В. В металах не змінюється, а в напівпровідниках зменшується зі зміною температури. Г. В металах збільшується зі зміною температури, а в напівпровідниках не змінюється. 4. Чи застосовується закон Ома для струму в напівпровідниках і в металах? А. Для струму в напівпровідниках застосовується, а для струму в металах немає. Б. Для струму в металах застосовується, а для струму в напівпровідниках немає. В. Застосовується і для струму в металах, і для струму в напівпровідниках. Г. Чи не застосовується ні в якому разі. Завдання для самоконтролю 1. У 2.А 3.А 4.Б.

По темі: методичні розробки, презентації та конспекти

При розробці уроку на тему «Напівпровідники. Домішковий напівпровідник. Власна провідність »були застосовані електронні освітні ресурси ....

розробка уроку на тему «Полупроводнікі.Собственная і домішкових провідність напівпровідників. Електричний струмв напівпровідниках »...

презентація "Напівпровідники. Власна і домішкових провідність напівпровідників. Електричний струм в напівпровідниках"

презентація: "Напівпровідники. Власна і домішкових провідність напівпровідників. Електричний струм в напівпровідниках" ...

Стрімкий розвиток і розширення областей застосування електронних пристроїв обумовлено вдосконаленням елементної бази, основу якої складають напівпровідникові прилади Напівпровідникові матеріали по своїй питомій опору (ρ = 10-6 ÷ 1010 Омм) займають проміжне місце між провідниками і діелектрікамі.Полупроводніковие матеріали

напівпровідникові діодиЦе напівпровідниковий прилад з одним p-n- переходом і двома висновками, робота якого заснована на властивостях p-n - переходу. основним властивістю p-n- переходу є одностороння провідність - струм протікає тільки в одну сторону. Умовно - графічне позначення (УДО) діода має форму стрілки, яка і вказує напрям протікання струму через прилад. Конструктивно діод складається з p-n- переходу, Укладеного в корпус (за винятком мікромодульному безкорпусних) і двох висновків: від p- області - анод, від n- області - катод. Т. е. Діод - це напівпровідниковий прилад, що пропускає струм тільки в одному напрямку - від анода до катода. Залежність струму через прилад від прикладеної напруги називається вольт - амперної характеристикою (ВАХ) приладу I = f (U).

Транзистори Транзистор - це напівпровідниковий прилад, призначений для посилення, генерування і перетворення електричних сигналів, а також комутації електричних ланцюгів. Відмінною особливістютранзистора є здатність підсилювати напругу і струм - діючі на вході транзистора напруги і струми приводять до появи на його виході напружень і струмів значно більшої величини. Свою назву транзистор отримав від скорочення двох англійських слів tran (sfer) (re) sistor - керований резистор. Транзистор дозволяє регулювати струм в ланцюзі від нуля до максимального значення.

Класифікація транзисторів: - за принципом дії: польові (уніполярні), біполярні, комбіновані. - за значенням розсіюваною потужності: малої, середньої та великої. - за значенням граничної частоти: низько -, середньо -, високо - і надвисокочастотні. - за значенням робочої напруги: низько - і високовольтні. - за функціональним призначенням: універсальні, підсилювальні, ключові і ін. - за конструктивним виконанням: безкорпусні і в корпусному виконанні, з жорсткими і гнучкими висновками.

Залежно від виконуваних функцій транзистори можуть працювати в трьох режимах: 1) Активний режим - використовується для посилення електричних сигналів в аналогових пристроях. Опір транзистора змінюється від нуля до максимального значення - кажуть транзистор «відкривається» або «під закривається». 2) Режим насичення - опір транзистора прагне до нуля. При цьому транзистор еквівалентний замкнутому контакту реле. 3) Режим відсічення - транзистор закритий і володіє високим опором, т. Е. Він еквівалентний розімкненим контакту реле. Режими насичення і відсічення використовуються в цифрових, імпульсних і комутаційних схемах.

Індикатор Електр ó ний індик á тор це електронне показує пристрій, призначений для візуального контролю за подіями, процесами і сигналами. Електронні індикатори встановлюється в різний побутове і промислове обладнання для інформування людини про рівень або значення різних параметрів, наприклад, напруги, струму, температури, заряді батареї і т. Д. Часто електронним індикатором помилково називають механічний індикатор з електронною шкалою. електронне показує пристрій механічний індикатор