در دستگاه های تلفن همراه (PDA ها، تبلت ها، گوشی های هوشمند، پخش کننده ها) ضروری شده است. بر اساس حافظه فلش، درایوهای فلش USB و کارت های حافظه برای دستگاه های الکترونیکی (SD، MMC، miniSD و غیره) توسعه یافته است.

ویزناچنیا 1

فلش مموری(فلش مموری) - حافظه منبع تغذیه حالت جامد غیر فرار است و قابل بازنویسی است.

اطلاعات را می توان چندین بار بین مدت زمان انباشت ربات (حدود 10 دلار چرخه) از حافظه فلش خواند، اما تعداد زیادی از فرآیندهای نوشتن با هم عوض می شوند (حدود 100\000 دلار چرخه بازنویسی).

فلش مموری قابل اعتمادترین نوع ذخیره سازی اطلاعات در نظر گرفته می شود، زیرا... قطعات مکانیکی شل (مانند هارد دیسک) را جدا نکنید.

مزایای فلش مموری:

• سرعت بالای دسترسی به داده ها؛
• مصرف کم انرژی؛
• مقاومت در برابر لرزش؛
• سهولت اتصال به کامپیوتر؛
• اندازه جمع و جور؛
• ارزانی

حافظه فلش کافی نیست:

• تعداد محدودی از چرخه های ضبط؛
• حساسیت به تخلیه الکترواستاتیک

تاریخچه حافظه فلش

اولین فلش مموری با قیمت 1984 دلار پیدا شد.

نام "فلش" شبیه به انگلیسی "slept" است، زیرا فرآیند پاک کردن داده ها از حدس زدن عکس ها.

اولین پردازنده تجاری فلش نوع NOR با قیمت 1988 دلار عرضه شد. در نسل جدید، معماری حافظه فلش NAND تکه تکه شده بود که سرعت نوشتن بیشتر و مدارهای کوچکتر را ارائه می کرد.

اصل ربات

واحد ذخیره سازی داده های ابتدایی یک ترانزیستور با یک دروازه شناور است که می تواند الکترون ها (بار) و واحد ذخیره سازی داده های اولیه را در حافظه فلش جذب کند. بر اساس ترانزیستور، انواع اصلی فلش مموری NAND و NOR هستند. اصل کار بر اساس تغییر و ثبت بار الکتریکی در ناحیه عایق شده ("تابوت") ساختار هادی است.

Malyunok 1. معماری NOR-memory

Malyunok 2. معماری حافظه NAND

مولدهای حافظه فلش vikorist $2$ برای نوع فلش مموری:

• MLC(سلول چند سطحی - مراکز حافظه غنی تر) - مراکز حافظه بزرگتر ارزان تر هستند و با ساعات دسترسی طولانی تر و تعداد کمی چرخه نوشتن/استفاده (نزدیک به 10\000 دلار) مشخص می شوند.
• SLC(سلول تک سطحی – مراکز حافظه تک سطحی) – مراکزی با زمان دسترسی کوتاهتر و حداکثر تعداد چرخه نوشتن/استفاده (100\000 دلار).

شکل 3. عناصر اصلی یک درایو فلش USB: $1$ – کانکتور USB، $2$ – کنترلر، $3$ – برد PCB، $4$ – ماژول حافظه NAND، $5$ – نوسانگر کوارتز، $6$ – نشانگر LED، $7$ - سوئیچ حفاظت از رکورد، 8 دلار - محل تراشه های حافظه اضافی.

Zastosuvannya

خوابیدن دو راه اصلی برای فریز کردن فلش مموری وجود دارد:

• به عنوان یک دستگاه تلفن همراه برای اطلاعات؛
• مانند یک هیولا از نرم افزار برای دستگاه های دیجیتال.

اغلب روش های مختلفی برای غذا خوردن در یک مکان وجود دارد.

ذخیره سازی حافظه NOR که هزینه نسبتاً کمی دارد، نیاز به دسترسی ایمن به آدرس های ورودی دارد و وجود عناصر معیوب را تضمین می کند (ریزمدارهای استاندارد PZP برای کار با ریزپردازنده، میکرو مدارهای گسترش اولیه رایانه ها (POST و BIOS)، ریز مدارها. صرفه جویی در اندازه متوسط ​​داده ها، به عنوان مثال، DataFlash). تعهدات معمولی - از 100 دلار کیلوبایت تا 256 دلار مگابایت. حافظه NAND در دستگاه های تلفن همراه و حامل های داده راکد است، که نیاز به صرفه جویی قابل توجهی دارد. عمدتاً انواع USB و کارت های حافظه و همچنین دستگاه های تلفن همراه (تلفن، دوربین، پخش کننده). حافظه NAND در دستگاه‌های مصرف‌کننده در دسترس است: تلفن‌های هوشمند و تلویزیون‌ها، روترهای لبه، نقاط دسترسی، کنسول‌های بازی، قاب‌های عکس و ناوبری.

Malyunok 4. فلش کارت در انواع مختلف

انواع کارت حافظه و فلش مموری را ببینید

احترام 1

CF(Compact Flash) قدیمی ترین استاندارد برای انواع حافظه است. دارای قابلیت اطمینان بالا، خدمات عالی (128 دلار گیگابایت و بیشتر) و سرعت انتقال داده بالا (120 دلار مگابایت در ثانیه). از طریق ابعاد بزرگ، امکان ذخیره سازی فیلم و عکس برای یک حرفه ای فراهم می شود.

MMC (کارت چند رسانه ای) اندازه کوچکی دارد و با دستگاه های مختلف سازگاری بالایی دارد و یک کنترل کننده حافظه است. کارت SD (کارت دیجیتال امن) نتیجه توسعه استاندارد MMC است. کارت در برابر کپی غیر مجاز، محافظت از اطلاعات در برابر پاک کردن یا تخریب اتفاقی و انتقال مکانیکی محافظت در برابر ضبط محافظت می شود. حداکثر ظرفیت تا 4 دلار گیگابایت. ظرفیت SDHC (SD High Capacity) حداکثر 32 دلار گیگابایت است.

کارت های MiniSD و microSD نیز در دسترس هستند.

تبصره 2

تولید کنندگان اصلی فلش مموری NAND Micron/Intel، SK Hynix، Toshiba/SanDisk، سامسونگ هستند. تولید کنندگان اصلی کنترلرهای فلش مموری NAND، تولیدکنندگان حافظه های مارول، LSI-SandForce و NAND هستند.

فلش مموری نوعی حافظه انرژی غیرفرار حالت جامد است که قابل بازنویسی است.

اصل dii

برنامه نویسی فلش مموری

پاک کردن فلش مموری

تاریخ

مشخصات

سیستم های فایل

Zastosuvannya

انواع کارت حافظه

1 طبیعی

فلش مموری نوعی حافظه انرژی غیرفرار حالت جامد است که قابل بازنویسی است.

می توان آن را تا آنجا که ممکن است بارها خواند، اما می توان آن را تا آنجا که ممکن است در چنین حافظه ای نوشت (حداکثر - نزدیک به یک میلیون چرخه). حافظه فلش افزایش یافته است و تقریباً 100 هزار چرخه بازنویسی را امکان پذیر می کند - بسیار بیشتر که می تواند روی فلاپی دیسک یا CD-RW دوام بیاورد.

قطعات شل را با هم مخلوط نکنید، بنابراین هنگام تعویض هارد دیسک قابل اعتمادتر و فشرده تر است.

به دلیل فشرده بودن، هزینه کم و مصرف کم انرژی، حافظه فلش به طور گسترده در دستگاه های قابل حملی که با باتری کار می کنند - دوربین های دیجیتال و دوربین های ویدئویی، ضبط کننده های صوتی دیجیتال، پخش کننده های MP3، PDA ها، تلفن های همراه و همچنین گوشی های هوشمند و ارتباطات استفاده می شود. علاوه بر این، برای ذخیره نرم افزارهای نصب شده در دستگاه های مختلف (روتر، مینی سانترال، چاپگر، اسکنر) و کنترلرهای مختلف استفاده می شود.

بنابراین، در پایان روز، درایوهای فلش USB (درایو فلش، درایو USB، دیسک USB) فراگیر شدند، به طوری که فلاپی دیسک ها و سی دی ها رایج شدند.

در پایان سال 2008 نقطه ضعف اصلی که مانع از جایگزینی دستگاه های مبتنی بر حافظه فلش در بازار می شود، نسبت قیمت به حجم بالا است که 2 تا 3 برابر این پارامتر هارد دیسک ها را بیشتر می کند. ارتباط با این و تعهدات درایوهای فلش چندان بزرگ نیست. من می خواهم مستقیماً با آنها کار کنم. فرآیند فن آوری ارزان تر می شود و رقابت افزایش می یابد. بسیاری از شرکت ها قبلاً از عرضه دستگاه های ذخیره سازی SSD با ظرفیت های 256 گیگابایت و بیشتر خبر داده اند.

کمبود دیگر دستگاه های مبتنی بر حافظه فلش در مقایسه با هارد دیسک - جای تعجب نیست که سیالیت کمتر است. صرف نظر از کسانی که دستگاه های ذخیره سازی SSD را می فروشند، آنها می گویند که نقدینگی این دستگاه ها برابر با نقدینگی یک هارد دیسک است، در واقع به نظر می رسد به طور قابل توجهی کمتر است. به طور طبیعی، یک درایو SSD مانند یک هارد دیسک یک ساعت را برای گرم کردن، تعیین موقعیت هدها و غیره صرف نمی کند. خواندن و سپس نوشتن حافظه فلش ذخیره شده در درایوهای SSD فعلی فقط یک ساعت طول می کشد. این می تواند منجر به کاهش قابل توجه بهره وری استریل شود. برای رعایت انصاف، لازم به ذکر است که مدل های باقی مانده از دستگاه های ذخیره سازی SSD و فراتر از این پارامتر در حال حاضر به هارد دیسک ها نزدیک می شوند. با این حال، این مدل ها هنوز هم بسیار گران هستند.

در شدید سال 2009 r. تحویل درایو فلش USB با ظرفیت 512 گیگابایت آغاز شد. این مدل قبلاً برای فروش در مسکو ظاهر شده است. قیمت تخمینی چنین مدلی برای کاربر نهایی حدود 250 دلار در نظر گرفته شده است که چنین فلش مموری را به رقیبی آشکار برای هارد دیسک های فعلی تبدیل می کند. درایو فلش دارای اندازه کوچک کوچک، رابط USB 2.0، سرعت خواندن 11 مگابایت بر ثانیه است. تا 10 مگابایت در ثانیه برای رکورد.Zmіst [دریافت]

اصل dii

برنامه نویسی فلش مموری

پاک کردن فلش مموری

حافظه فلش اطلاعات را از آرایه ای از ترانزیستورهای دروازه شناور به نام سلول ذخیره می کند. در دستگاه های سنتی با سلول های تک سطحی (SLC)، آنها می توانند تنها یک بیت را ذخیره کنند. برخی از دستگاه های جدید با سلول های چند سطحی (MLC) بسته به میزان بار الکتریکی در گیت ترانزیستور، می توانند بیش از یک بیت ذخیره کنند.

این فلش مموری مبتنی بر عنصر NOR است، زیرا در ترانزیستور با گیت شناور، ولتاژ پایین در گیت یک عدد را نشان می دهد.

ترانزیستور دارای دو دروازه است: جامد و شناور. سطح باقیمانده از عایق و ساختمان، الکترونیک را به 10 سنگ کاهش می دهد. معامله نیز دارای پشته و نوبت است. هنگامی که ولتاژ روی دروازه ای که آن را کنترل می کند برنامه ریزی می شود، یک میدان الکتریکی ایجاد می شود و یک اثر تونل رخ می دهد. برخی از الکترون ها از طریق توپ عایق تونل می شوند و به شاتر فرستاده می شوند که شناور است و در گردش خواهد بود. شارژ در دروازه شناور "عرض" کانال تخلیه و هدایت آن را تغییر می دهد که در طول ساعت خواندن تغییر می کند.

هسته های برنامه نویسی و خواندن نیز می توانند تأثیر قابل توجهی بر مصرف انرژی داشته باشند: دستگاه های فلش مموری می توانند هنگام نوشتن انرژی زیادی مصرف کنند، اما در هنگام خواندن نیز انرژی کمی مصرف می کنند.

برای پاک کردن اطلاعات، یک ولتاژ منفی بالا به دروازه ای که آن را کنترل می کند اعمال می شود و الکترونیک از دروازه شناور به پیچ منتقل می شود (تونل می شود).

در معماری NOR، ترانزیستور پوستی نیاز به یک تماس جداگانه دارد که باعث افزایش اندازه مدارها می شود. این مشکل در معماری NAND نهفته است.

نوع NAND بر اساس عنصر I-NOT (انگلیسی NAND) است. اصل کار یکسان است، در نوع NOR فقط به قرار دادن مخاطبین میانی بستگی دارد. در نتیجه، دیگر نیازی به تماس فردی با پوست نیست، بنابراین اندازه و تطبیق پذیری تراشه NAND می تواند به طور قابل توجهی کوچکتر باشد. بنابراین خود رکورد و پاک کردن سریعتر انجام می شود. با این حال، این معماری اجازه نمی دهد تا آن را بیش از حد.

معماری های NAND و NOR به طور همزمان به طور موازی توسعه می یابند و با یکدیگر رقابت نمی کنند، زیرا آنها در روش های مختلف ذخیره داده گیر کرده اند.

تاریخ

این فلش مموری توسط فوجیو ماسوکا در زمانی که از توشیبا در سال 1984 خریداری شد پیدا شد. نام "فلش" نیز توسط همکار فوجی، شوجی آریزومی، در توشیبا ابداع شد، زیرا فرآیند پاک کردن به جای حافظه فلش مموری استفاده می شود. ماسوکا پیشنهاد خود را در IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM) که در نزدیکی سانفرانسیسکو، کالیفرنیا برگزار شد، ارائه کرد. اینتل به پتانسیل بالای خروجی پی برد و در سال 1988 اولین تراشه فلش تجاری نوع NOR را عرضه کرد.

حافظه فلش نوع NAND توسط توشیبا در سال 1989 در کنفرانس بین المللی مدارهای حالت جامد معرفی شد. این یکی دارای سرعت ضبط بیشتر و یک منطقه تراشه کوچکتر بود.

در پایان سال 2008، رهبران تولید فلش مموری سامسونگ (31 درصد بازار) و توشیبا (19 درصد از بازار، از جمله چندین کارخانه از ساندیسک) بودند. (داده های iSupply در Q4 "2008.) استانداردسازی تراشه های حافظه فلش NAND توسط گروه کاری رابط باز NAND Flash (ONFI) انجام می شود. استاندارد دقیق مشخصات ONFI نسخه 1.0 است که در 28 ژوئن 2006 منتشر شد. ON Group FI توسط نسل تراشه‌های NAND پشتیبانی می‌شود: فناوری Intel، Hynix و Micron.

مشخصات

سرعت برخی از دستگاه هایی که از فلش مموری استفاده می کنند می تواند به 100 مگابایت بر ثانیه برسد. به طور کلی، کارت های فلش دارای طیف وسیعی از سرعت ها هستند و معمولاً به سرعت یک درایو CD استاندارد (150 کیلوبایت بر ثانیه) برچسب گذاری می شوند. این بدان معناست که سرعت 100x به معنای 100 H 150 Kb/s = 15000 Kb/s = 14.65 Mb/s است.

اساساً ظرفیت ذخیره سازی یک تراشه فلش مموری از کیلوبایت تا چندین گیگابایت متغیر است.

در سال 2005، توشیبا و SanDisk تراشه‌های NAND را با حجم 1 گیگابایت معرفی کردند و از فناوری مرکزیت ولتاژ بالا حمایت کردند، جایی که یک ترانزیستور می‌تواند چند بیت، ویکوریست و سطوح مختلف شارژ الکتریکی در گیت و o شناور را ذخیره کند.

در بهار سال 2006، سامسونگ یک تراشه 8 گیگابایتی را بر اساس فناوری فرآیند 40 نانومتری معرفی کرد. در پایان سال 2007، سامسونگ اعلام کرد که اولین تراشه حافظه فلش MLC (سلول چند سطحی) جهان از نوع NAND را ایجاد کرده است که با استفاده از فناوری فرآیند 30 نانومتری ساخته شده است. ظرفیت تراشه نیز 8 گیگابایت است. به نظر می رسد که قبل از تولید انبوه، تراشه های حافظه در نسل 2009 یافت می شوند.

برای افزایش کارایی دستگاه ها، اغلب آرایه ای با تراشه های زیاد ترکیب می شود. عمدتاً از اواسط سال 2007، دستگاه‌های USB دارای کارت‌های حافظه با ظرفیت‌های 512 مگابایت تا 64 گیگابایت هستند. بزرگترین نیاز برای دستگاه های USB 1 ترابایت است.

سیستم های فایل

ضعف اصلی فلش مموری تعداد چرخه های بازنویسی است. وضعیت همچنین با این واقعیت پیچیده است که سیستم عامل اغلب داده ها را در همان مکان ضبط می کند. به عنوان مثال، جدول سیستم فایل اغلب به روز می شود، بنابراین اولین بخش های حافظه ذخیره خود را خیلی زودتر مصرف می کنند. بخش توجه به شما امکان می دهد مدت کار حافظه را ادامه دهید.

برای حل این مشکل، فایل سیستم های ویژه ای ایجاد شد: JFFS2 و YAFFS برای GNU/Linux و exFAT برای Microsoft Windows.

درایوهای فلش USB و کارت های حافظه مانند SecureDigital و CompactFlash مجهز به کنترلی هستند که می تواند خطاها را شناسایی و تصحیح کند و می تواند همزمان از منبع برای بازنویسی فلش مموری استفاده کند. در چنین دستگاه هایی استفاده از سیستم فایل خاص معنی ندارد و برای سادگی از FAT استفاده می شود.

Zastosuvannya

فلش کارت در انواع مختلف (نمونه تصاویر تخمین ابعاد)

فلش مموری بیشتر در درایوهای فلش USB یافت می شود. انتخاب اصلی نوع حافظه NAND است که از طریق USB از طریق رابط USB ذخیره سازی انبوه (USB MSC) متصل می شود. این رابط توسط تمام نسخه های فعلی سیستم عامل پشتیبانی می شود.

با سرعت، حجم و اندازه جمع و جور، درایوهای فلش USB همیشه از بازار فلاپی دیسک بیرون آمده اند. به عنوان مثال، از سال 2003، شرکت Dell تصمیم گرفت کامپیوترهایی را با درایو دیسک عرضه کند.

در حال حاضر طیف وسیعی از درایوهای فلش USB با اشکال و رنگ های مختلف تولید می شود. فلش درایوهایی با رمزگذاری خودکار داده ها در بازار وجود دارد که روی آنها نوشته می شود. شرکت ژاپنی Solid Alliance اکنون درایوهای فلش مانند جوجه تیغی تولید می کند.

Є توزیع های ویژه گنو/لینوکس و نسخه های برنامه هایی که می توانند مستقیماً از درایوهای USB اجرا شوند، به عنوان مثال، برای استفاده از برنامه های خود در یک کافی نت.

فناوری ReadyBoost در ویندوز ویستا مبتنی بر یک درایو فلش USB یا فلش مموری مخصوصی است که در رایانه برای افزایش کد سرعت تعبیه شده است. فلش مموری همچنین از کارت های حافظه مانند Secure Digital (SD) و Memory Stick پشتیبانی می کند که به طور فعال در تجهیزات قابل حمل (دوربین ها، تلفن های همراه) استفاده می شود. همراه با رسانه USB، حافظه فلش اکثریت بازار رسانه های داده قابل حمل را به خود اختصاص می دهد.

نوع حافظه NOR بیشتر در حافظه BIOS و ROM دستگاه هایی مانند مودم DSL، روتر و غیره یافت می شود. حافظه فلش به شما امکان می دهد به راحتی سیستم عامل دستگاه ها را به روز کنید، که در آن سرعت و حجم نوشتن برای چنین دستگاه هایی چندان مهم نیست. .

امکان جایگزینی هارد دیسک با فلش مموری به طور فعال در حال بررسی است. در نتیجه سرعت روشن شدن کامپیوتر افزایش می‌یابد و تعداد قطعاتی که ممکن است فرو بریزند، عمر مفید را افزایش می‌دهد. به عنوان مثال، XO-1، یک لپ تاپ 100 دلاری که به طور فعال برای سایر نقاط جهان در حال توسعه است، به جای هارد دیسک، یک حافظه فلش 1 گیگابایتی دارد. بین قیمت بالا به ازای هر گیگابایت و دوره در دسترس بودن کمتر، هارد دیسک‌های پایین‌تر تابع تعداد چرخه‌های نوشتن بالاتری هستند.

انواع کارت حافظه

انواع مختلفی از کارت حافظه وجود دارد که در تلفن های همراه استفاده می شود.

MMC (کارت چند رسانه ای): یک کارت در قالب MMC در اندازه کوچک است - 24x32x1.4 میلی متر. به طور کامل توسط شرکت های SanDisk و Siemens تقسیم شده است. MMC یک کنترلر حافظه است و با انواع مختلف دستگاه ها سازگاری بالایی دارد. در بیشتر موارد، کارت های MMC توسط دستگاه هایی با اسلات SD پشتیبانی می شوند.
RS-MMC (کارت چند رسانه ای با اندازه کاهش یافته): یک کارت حافظه که دو برابر کوتاهتر از یک کارت MMC استاندارد است. ابعاد آن 24x18x1.4 میلی متر و وزن آن حدود 6 گرم است، همه مشخصات دیگر بسته به MMC تغییر نمی کند. آداپتور برای استفاده با استاندارد MMC و جایگزینی کارت های RS-MMC مورد نیاز است.
DV-RS-MMC (کارت چند رسانه ای با اندازه دو ولتاژ کاهش یافته): کارت های حافظه DV-RS-MMC با ولتاژهای بالاتر (1.8 و 3.3 ولت) مصرف انرژی کمتری دارند که به تلفن همراه شما اجازه می دهد کمی بیشتر کار کند. ابعاد کارت همانند ابعاد RS-MMC 24x18x1.4 میلی متر می باشد.
MMCmicro: کارت حافظه مینیاتوری برای دستگاه های تلفن همراه با ابعاد 14x12x1.1 میلی متر. برای کار با یک اسلات استاندارد MMC، باید از یک آداپتور استفاده کنید.

کارت SD (کارت دیجیتال امن): پشتیبانی شده توسط SanDisk، Panasonic و Toshiba. استاندارد SD توسعه بیشتر استاندارد MMC است. از نظر ابعاد و ویژگی ها، کارت های SD بسیار شبیه به MMC هستند، فقط کمی کوچکتر (32x24x2.1 میلی متر). ویژگی اصلی MMC فناوری حفاظت از حق چاپ است: کارت حاوی محافظت رمزنگاری در برابر کپی غیرمجاز، محافظت از اطلاعات در برابر پاک کردن یا تخریب تصادفی و انتقال مکانیکی حفاظت از داده ها است. با وجود تفاوت در استانداردها، کارت های SD را نمی توان در دستگاه های دارای اسلات MMC استفاده کرد.
SD (Trans-Flash) و SDHC (ظرفیت بالا): کارت های SD قدیمی به عنوان مثال. دستگاه های ترانس فلش و جدید SDHC (ظرفیت بالا) و دستگاه های خواندن آنها به حداکثر ظرفیت ذخیره سازی، 2 گیگابایت برای Trans-Flash و 32 گیگابایت برای ظرفیت بالا محدود می شوند. دستگاه خواندن SDHC با SDTF پیچیده شده است، بنابراین کارت SDTF توسط دستگاه خواندن SDHC بدون مشکل خوانده می شود، اما در دستگاه SDTF تنها از 2 گیگابایت ظرفیت SDHC استفاده می شود، در غیر این صورت به هیچ وجه قابل خواندن نخواهد بود. فرض بر این است که فرمت TransFlash با فرمت SDHC جایگزین خواهد شد. دو فرمت فرعی را می توان در هر یک از سه قالب فیزیکی ارائه کرد. اندازه (استاندارد، مینی و میکرو).
miniSD (Mini Secure Digital Card): کارت های استاندارد Secure Digital در ابعاد کوچکتر 21.5x20x1.4 میلی متر متفاوت هستند. برای کارت های ربات در دستگاه های مجهز به اسلات SD اولیه، یک آداپتور در دسترس است.
microSD (کارت دیجیتال امن میکرو): در حال حاضر (2008) دستگاه های حافظه فلش فشرده (11x15x1 میلی متر). در ابتدا در تلفن های همراه، ارتباطات و غیره استفاده می شود، بخش هایی از فشردگی آنها به شما این امکان را می دهد که به راحتی حافظه دستگاه را بدون افزایش اندازه افزایش دهید. حفاظت از ضبط به آداپتور microSD-SD منتقل می شود.

MS Duo (Memory Stick Duo): این استاندارد حافظه توسط سونی توسعه یافته و پشتیبانی می شود. ساختمان کامل است. در حال حاضر ارزشمندترین خاطره از تمام این اجراها ارزشمند است. Memory Stick Duo در نسخه های مبتنی بر استاندارد Memory Stick به طور گسترده ای از سونی، که در اندازه های کوچک (20x31x1.6 میلی متر) عرضه می شود.

روز همگی بخیر!
مقاله امروز شروع یک سری جدید و کوتاه از مقالات است که به ذخیره اطلاعات، انواع مختلف حافظه، روش‌های ضبط/خواندن اطلاعات و هر چیزی مربوط به آن اختصاص دارد و موارد دیگر با اضافه شدن فلش مموری معروف.

فلش مموری چیست؟ این فقط یک ریز مدار ساده است که با هیچ چیز دیگری تفاوتی ندارد. بنابراین، ممکن است دلیلی برای سرزنش وجود داشته باشد - و اینکه چه چیزی در وسط است و چگونه فرآیندهای ذخیره / خواندن اطلاعات آغاز می شود.

خوب، قلب بسیاری از دستگاه های حافظه یک ترانزیستور با دروازه شناور است. شرابی درخشان از دهه 70 قرن بیستم. مزیت اصلی ترانزیستورهای اثر میدان اصلی در این واقعیت نهفته است که بین دروازه و کانال، درست در دی الکتریک، هادی دیگری وجود دارد - که به آن دروازه شناور می گویند. محور به شکل زیر است:

چیزی که برای ما کوچکتر مهم است، دریچه تخلیه و همچنین جایگزینی هادی اضافی در دی الکتریک است. بیایید بفهمیم این دستگاه چگونه کار می کند.

ما بین زهکش و سیم پیچ اختلاف پتانسیل ایجاد می کنیم و پتانسیل مثبتی را روی دروازه اعمال می کنیم. آن وقت چه خواهد شد؟ به درستی، از طریق ترانزیستور میدان از درین به سیم پیچ جریان دهید. علاوه بر این، بزرگی جریان برای "شکستن" دی الکتریک زیاد است. در نتیجه این شکست، تعدادی از الکترون ها روی دروازه از بین می روند که شناور است. دروازه با بار منفی، که شناور است، یک میدان الکتریکی ایجاد می کند، که شروع به تداخل در جریان جریان در کانال می کند، در نتیجه ترانزیستور بسته می شود. و به محض اینکه عمر ترانزیستور را روشن کنید، الکترون های دروازه شناور به جایی نخواهند رفت و بار آن برای مدت طولانی بدون تغییر باقی می ماند.

اما، البته، راهی برای تخلیه کرکره شناور وجود دارد. برای این منظور لازم است ولتاژ جریانی به شاتر "اصلی" اعمال شود تا تمام وسایل الکترونیکی "سوزانند" و در نتیجه کرکره شناور شارژ نمی شود.

به این ترتیب اطلاعات ذخیره می شود - اگر بار منفی روی دروازه وجود داشته باشد، چنین شارژی یک بار منطقی در نظر گرفته می شود و اگر شارژ نباشد - یک صفر منطقی.

از آنجایی که این اطلاعات ذخیره شده جمع آوری شده است، دیگر مشخص نیست که چگونه می توانیم از یک ترانزیستور دارای دروازه شناور اطلاعات بدست آوریم. و همه چیز بسیار ساده است. به دلیل وجود بار در کرکره شناور، میدان الکتریکی از جریان جاری درین عبور می کند. در طول روز شارژ مجاز است که بتوانیم ولتاژ 5+ ولت را به دروازه اصلی وارد کنیم و در این نقطه از تخلیه، جریان شروع به جاری شدن کند. هنگامی که کرکره شناور شارژ می شود، چنین ولتاژی نمی تواند باعث جاری شدن جریان شود و قطعات میدان الکتریکی کرکره شناور تحت تأثیر قرار می گیرند. و در اینجا به دلیل ولتاژ +10 ولت (مثلا =) جریان کمتری جریان خواهد داشت. به این ترتیب دو مقدار ولتاژ آستانه را انتخاب می کنیم. مثلاً با اعمال +7.5 ولت می‌توانیم هشداری درباره وجود و عدم وجود شارژ در شیر شناور ایجاد کنیم. به این ترتیب اطلاعات ذخیره شده خوانده می شود.

چه ارتباطی با فلش مموری دارد؟ و این بسیار ساده است - یک ترانزیستور اثر میدانی با یک دروازه شناور دارای حداقل فضای حافظه است، در نتیجه یک بیت اطلاعات را ذخیره می کند. و هر چیپ حافظه از تعداد زیادی ترانزیستور تشکیل شده است که به طور تصادفی مرتب شده اند. اکنون زمان بررسی انواع اصلی حافظه فلش است. و من خودم دوست دارم در مورد حافظه NOR و NAND بحث کنم.

این نوع حافظه ناشی از چیدمان ترانزیستورها با دروازه شناور است که چند ساعت به امروز اضافه کردیم) و اصل در نحوه اتصال آنها به ترانزیستورها مهم است.

طرح NOR یک میز هادی دوبعدی ویکورسیستی است. هادی ها خط ضربات و خط برگ ها را می نامند. تمام تخلیه ترانزیستورها به خط بیت ها متصل می شوند، سپس دروازه ها به خط تخلیه متصل می شوند. برای درک سریع، بیایید نگاهی به باسن بیندازیم.

اجازه دهید ما از شما بخواهیم که به هر دلیل خاصی اطلاعات کسب کنید. این وسط یا به طور دقیق تر این ترانزیستور خاص، توسط گیت به یک خط تخلیه و توسط درین به یکی از خطوط بیت متصل می شود. سپس ما به سادگی ولتاژ مرزی را به خط تخلیه اعمال می کنیم، که مربوط به دروازه ترانزیستور ما است و مشابه ولتاژی است که در موردی که برای یک مرکز کمی بیشتر نگاه کردیم.

NAND انعطاف پذیرتر است. اگر به قیاس با آرایه بپردازیم، وسط حافظه NAND یک آرایه بی اهمیت است. سپس نه یک ترانزیستور، بلکه تعدادی ترانزیستور به خط پوسته بیت ها متصل می شود که نتیجه آن تغییر در تعداد هادی ها و افزایش فشردگی است. این دقیقاً یکی از مزایای اصلی حافظه NAND است. چگونه می توانیم یک ترانزیستور استاندارد برای چنین ساختاری در نظر بگیریم؟ برای درک فرآیند، بیایید به نمودار نگاه کنیم:

همانطور که از نمودارها مشاهده می شود، یک خط از شرط ها با بسیاری از وسط ها مطابقت دارد. و یک ویژگی مهم این است: اگر می خواهید یکی از ترانزیستورها بسته شود، ولتاژ بالایی در خط ضربه وجود دارد. Axis Marvel:

درست است، در صورت باز شدن کل مجموعه ترانزیستورها، سطح پایین خط ضربه ها از بین می رود (حدس می زنیم دوره اختصاص داده شده به ترانزیستورهای اثر میدانی 😉).

با وجود این موضوع، بیایید به منبع تغذیه خود بپردازیم - چگونه می توانیم برق یک ترانزیستور خاص را ذخیره کنیم؟ و برای این کار، اعمال ولتاژ مرزی به خط ورودی (به دروازه ترانزیستور) و دنبال کردن سیگنال روی خط بیت کافی نیست. همچنین لازم است تمام ترانزیستورهای دیگر در حالت باز باشند. و به این ترتیب است که در شاتر ترانزیستور نش رشد کنیم، نیروها در خرابکاری هستند، آستانه به ما عرضه می شود، آستانه گوگرد (yak і در vipad z nor pam'at) و روی گه از ترانزیستور دهنده، lancyuzhuzhuzhuzhka به pyddvosye عرضه می شود، به همان روشی که ترانزیستور دروازه شناور باز شده است. و سپس، با وارد کردن سیگنال از خط ضربان، تعیین می کنیم که کدام ترانزیستور در آن قرار دارد که با ما تماس بگیرید (و بقیه کاملاً باز هستند). از من همه)

این محور امروز در مقاله ای منتشر شد) با اصل عملکرد و انواع اصلی فلش و همچنین دستگاه و اصل عملکرد حافظه NAND و NOR آشنا شدیم. امیدوارم که مقاله روشن و عاقلانه به نظر برسد، تا حد شیرینی!

امروزه، سازندگان دستگاه های ذخیره سازی فلش مموری را در چند نوع عرضه می کنند: این کارت هافلش فشرده، SmartMedia، کارت چند رسانه ای، کارت دیجیتال امن، مموری استیک و کلیدهای USB.

ATAفلاش. اولین ذخیره‌کننده‌های فلش مموری که به بازار آمدند کارت‌ها بودندفلش ATA . این انباشته ها با استفاده از کارت های استاندارد تهیه می شوندکارت کامپیوتر . علاوه بر ریزمدارهای فلش مموری، یک کنترلر ATA نیز در آنها تعبیه شده است و در حین کار از اصلی استفاده می شود. IDE -دیسک رابط این کارت ها موازی است. کارتیفلش ATA گسترش گسترده ای وجود نداشته است و در این زمان به ندرت پیروز می شود.

فشرده - جمع و جورفلاش. فلش کارت های فشرده (CF ) توسط شرکت به ثبت رسیده است SanDisk جایگزین جمع و جورتر و مفیدتر برای کارت ها چیست؟فلش ATA . به همین دلیل است که توزیع کنندگان استاندارد را رعایت می کنند CF قدرت روبات ها را به عنوان دستگاه به این کارت ها منتقل کردکارت PC یا IDE -ساختمان های جانبی در مرحله اول، کارت ها به عنوان کارت های اولیه در نظر گرفته می شوندکارت کامپیوتر دستگاه نصب شده و رابط آن بر روی اتوبوس "تبدیل" می شودکارت کامپیوتر . برای دیگری - مانند zhorstki IDE -دیسک ها و رابط آنها مانند یک اتوبوس ATA عمل می کنند.

کارتی سی اف 1994 اولین بار ظاهر شد. همه کارت ها دارای یک رابط موازی 50 پین هستند. قبل از سخنرانی، کارت هایی وجود دارد CF دو نوع - توره I و تور دوم . کارتی تیپو توره II دو میلی متر ضخیم تر بود و فقط در مجموعه قبلی نقشه های توره ظاهر شدمن آنها اجازه نداشتند یک فلش مموری بزرگ در وسط برای آماده سازی بینی های موضعی قرار دهند CF . در حال حاضر چنین نیازی به کارت تور وجود ندارد II قدم به قدم از بازار این مهم است که مردم چه چیزی برای کارت های تور دارند II می توانید کارت های تور را نصب کنیدمن ، پس سخت تر است.

در میان کارت های فلش، رهبر مطلق در بهره وری بود Transcend Ultra Performance CF Card 25 x CompactFlash 256 مگابایت که به حق می توان معیاری برای سرعت درایوهای فلش فعلی در نظر گرفت. سرعت نوشتن ترتیبی/سریالی این فلش کارت به 3.6/0.8 مگابایت بر ثانیه می رسد، سرعت خواندن 4.0/3.7 مگابایت بر ثانیه است.

نقدینگی ربات CF -کارت ها به تعهدات افزایش یافته مجهز هستند که در اپلیکیشن فلش کارت به وضوح قابل مشاهده است512 مگابایت افزایش ظرفیت محوطه منجر به کاهش 30 درصدی بهره وری می شود. پشت مقصر نقدینگی رکورد 2.5 برابری تعجب آور و ناراضی به نظر می رسد.

ویژگی های سوئدی CF -نقشه ها بسیار نزدیک به ویبراتور قرار دارند. Uکینگستون کامپکت فلش 256 مگابایت – سرعت نوشتن کم (نوشتن متوالی/متوالی – 1.4/0.3 مگابایت بر ثانیه)، اما سرعت خواندن پیشرو بود (4.4/3.8 مگابایت بر ثانیه). نقشه PQI Hi - Speed ​​Compact Flash 256 مگابایت بهره‌وری متوسط ​​را در هر دو مورد نشان داد: نوشتن - 2.1/0.7 مگابایت بر ثانیه، خواندن - 3.8/3.3 مگابایت بر ثانیه. کارتی SanDisk CompactFlash 256 مگابایت و SanDisk CompactFlash 512 مگابایت بسیار خوب استفاده شد: نوشتن - 1.1/0.2 و 0.9/0.5 مگابایت بر ثانیه، خواندن - 2.3/2.1 و 1.8/1.7 مگابایت بر ثانیه. و نقشه256 مگابایت داده نوشته و خوانده شد، با این حال، خوب.

نحوه تغییر CF - کارت هایی با دستگاه های ذخیره سازی انواع دیگر، سپس معلوم می شود که فلش مموری کاملاً به همان اندازه مفید است که معمولاً مهم است! برای بهره وری از جدیدترین کارت های حافظه فلش (به عنوان یک کارت Transcend Ultra Performance 25x CompactFlash 256 مگابایت) را می توان ارتقا داد Iomega Zip 750 مگابایت و برای سرعت ضبط متوالی می توانید این مقدار انباشته شده را 1.5 برابر تقلب کنید! برای سرعت ضبط متوالی، فلش مموری بهتر از دیسک ها عمل می کند CD-RW 2 بار، برای سرعت خواندن متوالی - 10٪! حافظه فلش در دیسک های MO به دلیل سرعت نوشتن متوالی - 2 برابر - و سرعت خواندن متوالی - 10٪ و سرعت خواندن متوالی و سرعت نوشتن متوالی - 20٪ نقش دارد. فلش مموری مسئول سرعت ضبط متوالی استدی وی دی -دیسک ها (هنگامی که در حالت 4x جارو می شوند) - 1.4 بار.

قابل توجه است که CF -کارت در دوربین دیجیتال اسکن می شود، بنابراین روان بودن آن از اهمیت بالایی برخوردار است به صورت متوالیضبط ها - علاوه بر این، اکنون دوربین پس از "ذخیره" قاب و "پرتاب" آن به کارت فلش به موقعیت کار می رسد. همچنین سرعت مطالعه CF -نقشه‌ها در این مورد نیز مهم هستند، اگرچه چندان حیاتی نیستند - هر چه داده‌ها بیشتر خوانده شوند، دوربین در حالت بازبینی مطالب گرفته شده بیشتر کار می‌کند.

SmartMedia . طراحی کارت SmartMedia (SM ) بسیار ساده است. در نقشه S.M. هیچ کنترلر رابط داخلی وجود ندارد و در اصل فقط یک یا دو تراشه حافظه فلش وجود دارد که در یک محفظه پلاستیکی "بسته بندی شده اند". استاندارد S.M. از هم پاشیدگی توسط شرکت هاتوشیبا و سامسونگ 1995 r. رابط نقشه ها S.M. - موازی، 22 پین و برای انتقال داده فقط از کل خط استفاده می شود.

چند رسانه ای کارت . کارت چند رسانه ای (MMC) ) دارای یک رابط سریال 7 پین است که می تواند در فرکانس های حداکثر 20 مگاهرتز کار کند. در وسط بدنه پلاستیکی کارت یک تراشه فلش مموری و یک کنترلر رابط MMS وجود دارد. استاندارد MMC برای ثبت نام 1997 روبل. شرکت هاهیتاچی، سان دیسک و زیمنس.

امنیت دیجیتال کارت . SecureDigi - Tal Card (SD ) - جوانترین استاندارد فلش کارت: vin buv rozroblenie u 2000 r. شرکت هاماتسوشیتا، سن دیسک و توشیبا. در واقع SD - بر اساس استاندارد MMS توسعه یافته است، بنابراین کارت های MMS را می توان در دستگاه های ذخیره سازی نصب کرد SD (Zvorotne صحیح نخواهد بود). رابط SD - 9 پین، سریال موازی (داده ها را می توان یک به یک منتقل کرد،دو یا چهار خط به طور همزمان) که در فرکانس های حداکثر 25 مگاهرتز کار می کنند. کارتی SD مجهز به ne هیچ چیزی برای محافظت به جای ضبط وجود ندارد (استاندارد همچنین یک تغییر را بدون چنین تغییری منتقل می کند).

یو اس بی -فلش مموری. فلش مموری USB (USB -Memory) نوع کاملاً جدیدی از دستگاه های ذخیره سازی فلش مموری است که در سال 2001 وارد بازار شد.فرمت USB -حافظه شما را به یاد یک جاکلیدی به شکل ضخیم می اندازد که از دو نیمه تشکیل شده است - یک سطل خشک و یک ذخیره کننده رطوبت.یو اس بی - یک رابط (در وسط آن یک یا دو تراشه حافظه فلش وجود داردکنترلر USB).

با USB استفاده کنید -حافظه بسیار مفید است - به هیچ دستگاه اضافی نیاز ندارد. به اندازه کافی مادر زیر دست PC زیر Keruvannya وجود داردویندوز با USB خالی -پورت، به طوری که در عرض چند دقیقه بتوانید به محل ذخیره سازی خود برسید. در بدترین حالت، باید درایورها را نصب کنیدیو اس بی -در حافظه، به طور خلاصه - جدیدیو اس بی -دستگاه و درایو منطقی به طور خودکار در سیستم ظاهر می شوند. احتمالا، نظر شما چیست؟یو اس بی - حافظه به نوع اصلی دستگاه برای ذخیره و انتقال تعهدات کوچک داده ها تبدیل خواهد شد.

چرا با USB زحمت بکشید؟ -فلش مموری بدون شک راه حل بهتری برای انتقال اطلاعات نسبت به فلش کارت است - به حافظه فلش اضافی نیاز نیست. حمایت از بهره وری اعتراضات احتکار کنندگان از این نوع - Transcend JetFlash 256 MB و Transcend JetFlashA 256 مگابایت - با رابط پهنای باند کم به هم متصل شده استیو اس بی 1.1. بنابراین، عملکرد آنها در تست های سرعت ربات در حد متوسط ​​بود. یاکشچویو اس بی -تجهیز فلش مموری به رابط انعطاف پذیریو اس بی 2.0، پس از نظر سرعت آتش، این احتکارها، البته، نباید در مورد دزدهای فلش کارت سازش کنند.

یعنی برای سرعت ضبط متوالی، فلش مموری رونویسی می کند Iomega Zip 750، درایوهای CD-RW و بینی های MO و فقط عرضه می شوددی وی دی -دیسک ها واضح است که فروشندگان فلش مموری از قبل تصمیم گرفته اند تا سرعت خود را افزایش دهند به صورت متوالیقطعات ضبط شده، قطعات فلش مموری برای استفاده در دوربین های دیجیتال در نظر گرفته شده است، بنابراین این یک نمایش مهم است.

در نتیجه، می‌توانید یاد بگیرید که فلش مموری رهبر بلامنازع در قابلیت اطمینان، قابل حمل بودن و ذخیره‌سازی انرژی با ظرفیت کوچک و متوسط ​​است که ممکن است عملکرد ضعیف و ذخیره‌سازی کافی داشته باشد. امروزه (در حال حاضر فلش کارت‌های موجود در بازار امروز، با ظرفیت تا 2 گیگابایت). البته، این یک نوع بسیار امیدوارکننده است، اما هنوز هم به طور گسترده با قیمت های بالا در دسترس است.

بر کسی پوشیده نیست که در دنیای امروز یکی از مرتبط ترین کالاها اطلاعات است. و آنها نیز مانند هر محصول دیگری باید حفظ و منتقل شوند. برای این منظور یک دستگاه قابل حمل برای به خاطر سپردن آن ایجاد کردیم. اخیراً این نقش توسط فلاپی دیسک ها و دیسک های فشرده ایفا می شود که حتی مقدار کمی از اطلاعات را در ابعاد بزرگ ذخیره می کنند. با توسعه فناوری محاسبات، اندازه رسانه ها به تدریج تغییر کرد و حجم داده های ذخیره شده در آنها به شدت افزایش یافت. این منجر به ظهور یک دستگاه قابل حمل جدید - یک درایو فلش USB شد.

فلش مموری- نوع خاصی از حافظه غیر انرژی و آنلاین که رونویسی می شود.

بیایید نگاهی به گزارش بیندازیم: بدون انرژی - برای صرفه جویی در داده ها به انرژی اضافی نیاز ندارد (انرژی فقط برای ضبط مورد نیاز است)، بازنویسی شده - امکان تغییر (بازنویسی) داده های ذخیره شده در آن و دوباره Dnikov (جامد) را فراهم می کند. به منظور عدم حذف مکانیکی قطعات شل (به عنوان سخت اولیه)، با الهام از مدارهای مجتمع (IC-Chip).

به معنای واقعی کلمه در برابر چشمان ما، حافظه فلش به یک روش عجیب و غریب و گران قیمت برای ذخیره داده ها در یکی از محبوب ترین دستگاه ها تبدیل شده است. حافظه حالت جامد به طور گسترده در پخش کننده های قابل حمل و رایانه های کوچک، دوربین ها و درایوهای فلش مینیاتوری استفاده می شود. اولین فیلم‌های سریالی با سرعت کم کار می‌کردند، اما سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات امروزی در حافظه فلش به شما این امکان را می‌دهد که یک فیلم فول فرمت را تماشا کنید که در طرح‌های میکرو مینیاتوری ذخیره شده است یا یک سیستم عامل «مهم» مانند ویندوز XP را اجرا کنید.

فلش مموری به دلیل مصرف کم انرژی، فشرده بودن، دوام و سرعت بسیار بالا، برای استفاده به عنوان ذخیره سازی در دستگاه های قابل حمل مانند: دوربین های عکاسی و فیلمبرداری دیجیتال، تلفن های همراه، کامپیوترهای قابل حمل و قابل حمل، پخش کننده های MP3، دیکتفون های دیجیتال و غیره ایده آل است.

تاریخ

در ابتدا هارد دیسک برای سرورهای پرسرعت توسعه داده شد و برای اهداف نظامی استفاده می شد، اما در نتیجه شروع به استفاده از آنها برای رایانه ها و سرورهای غیرنظامی شد.

دو دسته از دستگاه ها وجود داشت: در یک نوع، آنها را قربانی پاک کردن lanks، حذف حافظه با چگالی بالا، و در نوع دیگر، آنها یک دستگاه تمام کارکرد با ظرفیت کمتر ایجاد کردند.

ظاهراً تلاش مهندسان مستقیماً معطوف به مشکل رو به رشد استحکام ترکیب پاک کن های Lanzug بود. آنها با ورود مهندس توشیبا، فوجیو ماسوکایا، متولد 1984، موفق شدند. فوجیو توسعه خود را در نشست بین المللی دستگاه های الکترونیکی در سانفرانسیسکو، کالیفرنیا ارائه کرد. شرکت اینتل به دنبال این داده ها، اولین پردازنده تجاری فلش نوع NOR را در سال 1988 عرضه کرد. معماری حافظه فلش NAND توسط توشیبا در سال 1989 در کنفرانس بین المللی مدارهای حالت جامد معرفی شد. تراشه NAND سرعت نوشتن بالاتر و سطح مدار کوچک‌تری داشت.

برخی افراد معتقدند که نام فلش بسته به نوع حافظه به "خواب" ترجمه می شود. در حقیقت، کاملاً اینطور نیست. یکی از نسخه‌های این داستان این است که ابتدا در سال‌های 1989-1990، شرکت توشیبا از کلمه Flash در زمینه «سریع، دستکش» هنگام توصیف ریزمدارهای جدید خود استفاده کرد. در حقیقت، اینتل مورد احترام است زیرا در سال 1988 حافظه فلش را با معماری NOR معرفی کرد.

مزایای کارت های فلش USB نسبت به سایر دستگاه های ذخیره سازی آشکار است:

ابعاد کوچک،

واگا بسیار سبک است،

سکوت ربات،

امکان بازنویسی،

مقاومت خوب در برابر تزریق مکانیکی، حتی با سی دی و فلاپی دیسک (5-10 برابر، که بیش از حد مجاز برای هارد دیسک استاندارد است)

تغییرات شدید دما را نشان می دهد،

انواع عناصر شل که مصرف انرژی الکتریکی را به حداقل می رساند،

مشکلات زیادی در اتصالات وجود دارد - خروجی های USB عملاً در هر رایانه ای در دسترس هستند.

خدمت بزرگ حافظه،

ثبت اطلاعات در جعبه های حافظه،

مدت ذخیره اطلاعات تا 100 سال

فلش مموری به میزان قابل توجهی (تقریباً 10-20 بار یا بیشتر) انرژی کمتری در هر ساعت کار مصرف می کند.

همچنین لازم به ذکر است که برای کار با فلش درایو USB نیازی به برنامه های شخص ثالث، آداپتورها و غیره ندارید. دستگاه به طور خودکار شناسایی می شود.

اگر روزی 10 بار روی فلش مموری بنویسید، می توانید آن را حدود 30 بار دانلود کنید.

اصل dii

اصل عملکرد فناوری فلش مموری هادی مبتنی بر تغییر و ثبت بار الکتریکی در ناحیه عایق شده (تابوت) سازه هادی است.

تغییر شارژ ("ضبط" و "پاک کردن") با افزودن یک ولتاژ اضافی بین دروازه و سیم پیچ پتانسیل بزرگ انجام می شود، به طوری که ولتاژ میدان الکتریکی در عایق نازک بین کانال ترانزیستور و روده برای ایجاد اثر تونل کافی است. برای تقویت اثر تونل زنی الکترون ها در روده، در ساعت ضبط، با عبور جریان از کانال ترانزیستور اثر میدان، شتاب جزئی الکترون ها انجام می شود.

نمایش شماتیک یک ترانزیستور با یک دروازه شناور.

بین شیر سرامیکی و کانالی که جریان از طریق آن به زهکش می ریزد، همان شیر شناور را قرار می دهیم که با یک توپ نازک دی الکتریک جریان دارد. در نتیجه، هنگامی که جریانی از چنین ترانزیستور اثر میدانی "تغییر یافته" عبور می کند، بخشی از الکترون های پرانرژی از طریق دی الکتریک تونل می زند و در وسط دروازه ظاهر می شود و شناور می شود. البته، در حالی که الکترون ها در وسط این دریچه در حال تونل زدن و پرسه زدن بودند، مقداری از انرژی خود را از دست دادند و عملاً نمی توانند به عقب برگردند. SLC و MLC مناسب هستند

ابزارهای مختلفی وجود دارد که در آنها با یک محاسبه ساده یک بیت و کمی اطلاعات ذخیره می شود. برای هسته های تک بیتی، تنها دو قسمت برابر با شارژ در شاتر شناور وجود دارد. چنین میانه هایی را تک لایه می گویند. سلول تک سطحی SLC). در جگرهای غنی از نیش، بارهای مساوی بیشتری توزیع می شود، آنها را غنی تر خنثی (انگلیسی) می نامند. سلول چند سطحی، MLC). دستگاه های MLC ارزان تر و بزرگتر از دستگاه های SLC هستند و شما به تعداد زیادی بازنویسی دسترسی خواهید داشت.

حافظه صوتی

توسعه طبیعی ایده MLC، ایده ضبط سیگنال آنالوگ در رایانه بود. بیشترین استفاده از چنین ریز مدارهای فلاش آنالوگ در مدارهایی است که برای صدا استفاده می شود. چنین ریز مدارهایی در انواع بازی ها، جزوات صوتی و غیره رواج یافته اند.

نه فلش مموری

ساخت و ساز NORماتریس دو بعدی کلاسیک از هادی ها ("ردیف ها" و "پشته ها") Vikorist که در آن یک وسط روی میله متقاطع نصب شده است. در این حالت هادی ردیف ها به درن ترانزیستور و رسانای ردیف ها به گیت دیگر متصل می شوند. چرخش برای تمام آسترها به پیشخوان متصل است. با این طراحی، تغییر موقعیت یک ترانزیستور خاص با اعمال ولتاژ مثبت به یک ستون و یک ردیف آسان بود.

این نوع فلش مموری بر اساس الگوریتم ABO-NOR ساخته شده است، زیرا در ترانزیستور با گیت شناور، کوچکترین ولتاژ روی گیت یک عدد را نشان می دهد. این نوع ترانزیستور دارای دو گیت شناور و کنترل است. شاتر اول کاملا عایق بوده و قابلیت کاهش الکترون تا ده برابر را دارد. وسط نیز از یک زهکش و یک پیچ تشکیل شده است. هنگامی که ولتاژ به دروازه ای که آن را کنترل می کند اعمال می شود، میدان الکتریکی ایجاد می شود و به اصطلاح اثر تونل رخ می دهد. بیشتر الکترون ها از طریق توپ عایق منتقل می شوند (تونل می شوند) و به دروازه شناور نفوذ می کنند. بار روی دروازه شناور ترانزیستور "عرض" چرخش تخلیه و رسانایی کانال را تغییر می دهد که در طول ساعت خواندن تغییر می کند. نوشتن و خواندن داده ها نیز در مصرف انرژی متفاوت است: بنابراین، دستگاه های ذخیره سازی فلش انرژی بیشتری هنگام نوشتن مصرف می کنند، انرژی کمتری هنگام خواندن مصرف می کنند (انرژی کمتری مصرف می کنند). برای حذف (پاک کردن) داده های روی شاتر که آن را کنترل می کند، لازم است یک ولتاژ منفی بالا اعمال شود تا اثر معکوس ایجاد شود (الکترونیک از سوئیچ کرکره شناور به dzherel برای اثر تونل اضافی). در معماری NOR نیاز واضحی به اتصال یک کنتاکت به ترانزیستور پوستی وجود دارد که باعث افزایش اندازه پردازنده می شود. این مشکل با معماری جدید NAND رخ می دهد.